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型號：AT650P/850P(等離子體增強型）      AT650T/850T（熱型）

AT650T/850T可在用戶現場升級為AT650P/850P

技術參數：

·小型桌面等離子體型 

·基體溫度高達400℃ 

·具有空心陰極源 更快生長速率 | 更高電子密度 | 更低等離子體損傷 | 更少氧氣污染 

·配置高頻率射頻的空心等離子體 

·以熱型ALD成本提供經濟實惠的等離子體系統 

·3種有機金屬源(可加熱至185℃),1個常溫源(可升級至185℃)和最多4種氧化劑/還原劑源

·耐高溫的快速脈沖ALD閥門，配備超快MFC進行集成惰性氣體吹掃-標配 

·高達6英寸或8英寸的基板，并可提供定制卡盤/底座 

·靜態反應模式下可實現高覆蓋

選項：

·定制卡盤/底座 

·QCM(石英晶體微天平) 

·為您的瓶子設計起泡器 

·負載鎖(或手套箱接口) 

·共反應物線(MFC控制)(最多可增加2條) 

·額外升級前驅體加熱管線至185℃,共4條

·咨詢可定制系統